來源：三菱電機官網
三菱電機株式會社近日宣布，其聯合京都大學工學部及工程研究生院名村實驗室，成功開發(fā)出全球首項以10微米直徑微泡為驅動源的散熱技術。該技術可在電子設備冷卻通道內產生穩(wěn)定毫米級流量，無需依賴傳統(tǒng)水冷系統(tǒng)中高耗電的外部泵，為實現碳中和目標提供了新的技術路徑。相關研究成果已被國際權威期刊《應用物理快報》收錄發(fā)表，彰顯了其學術認可度。
這項技術的誕生，直指當前電子設備散熱領域的核心痛點。隨著生成式AI快速普及，AI服務器的計算負載呈指數級增長，芯片高輸出帶來的巨額熱量已成為制約算力釋放的關鍵瓶頸。為提升散熱效率，行業(yè)普遍采用微通道冷卻方案，通過將通道寬度縮短至100微米以下來強化熱交換，但狹窄的通道需要大功率外部泵驅動液體循環(huán)，導致系統(tǒng)功耗居高不下，與全球低碳趨勢相悖。此次三菱電機的技術突破，核心在于創(chuàng)新性地利用了馬蘭戈尼力與微泡的協同作用。據介紹，京都大學團隊率先研發(fā)出通過局部加熱激發(fā)微泡的技術——利用氣液界面的溫差形成表面張力梯度（即馬蘭戈尼效應），配合微泡自身振動誘導流體流動。三菱電機則將該原理成功應用于微通道場景，在3毫米×3毫米的方形通道（內部截面僅100微米×400微米）中，不依賴任何外部泵體，實現了100微米/秒的穩(wěn)定流量，經優(yōu)化氣泡布局與通道結構后，流速更提升至440微米/秒，完全滿足微通道冷卻的流量需求。“這一技術從根本上解決了微通道冷卻的‘節(jié)能悖論’?！毙袠I(yè)分析師指出，傳統(tǒng)方案中，微通道越精細，泵體功耗越高，而三菱電機的無泵驅動模式，可直接降低冷卻系統(tǒng)的能耗占比。結合三菱電機在功率半導體、熱管理領域的技術積淀——其此前推出的第8代IGBT模塊、SiC-MOSFET模塊均以高效散熱為核心優(yōu)勢，這項微泡技術有望快速實現產業(yè)化落地。面向未來，三菱電機明確將該技術作為下一代冷卻系統(tǒng)的核心方向，持續(xù)推進其高性能化與節(jié)能優(yōu)化。從應用場景來看，該技術不僅適配AI服務器、數據中心等高階運算設備，更可延伸至新能源汽車電子、工業(yè)控制等各類高發(fā)熱電子領域。隨著全球算力需求持續(xù)膨脹，單GPU功耗突破千瓦級成為常態(tài)，三菱電機的這項無泵散熱技術，或將成為平衡算力提升與能源消耗的關鍵支撐，為電子產業(yè)綠色轉型提供重要動力。
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