6 產(chǎn)品的熱測(cè)試
6.1 進(jìn)行產(chǎn)品熱測(cè)試的目的
6.1.1熱設(shè)計(jì)方案優(yōu)化
對(duì)不同的方案進(jìn)行比較,確定較優(yōu)的散熱設(shè)計(jì)方案。
6.1.2熱設(shè)計(jì)驗(yàn)證
檢驗(yàn)熱設(shè)計(jì)的合理性與有效性,驗(yàn)證產(chǎn)品的有關(guān)熱設(shè)計(jì)指標(biāo)是否滿足產(chǎn)品的熱設(shè)計(jì)驗(yàn)證判定標(biāo)準(zhǔn)。
6.2熱測(cè)試的種類及所用的儀器、設(shè)備
6.2.1溫度測(cè)試
6.2.1.1溫度測(cè)試的項(xiàng)目
? 設(shè)備內(nèi)部環(huán)境溫度
? 機(jī)箱表面溫升(自然對(duì)流換熱時(shí)測(cè)量)
? 關(guān)鍵元器件和發(fā)熱元器件的表面溫升
? 散熱器和冷板的熱點(diǎn)溫升
? 冷卻空氣入口溫度與出口溫升
6.2.1.2 溫度測(cè)量?jī)x器類型
溫度測(cè)量?jī)x器包括熱電偶、玻璃溫度計(jì)、示溫漆和示溫蠟、電阻溫度計(jì)、熱敏電阻、光學(xué)溫度計(jì)、紅外掃描系統(tǒng)等。
6.2.1.3 熱電偶
6.2.1.3.1 熱電偶的選擇
熱電偶的種類較多,就通信設(shè)備來講,由于我們?cè)O(shè)備的溫度一般低于200℃以下,在該范圍內(nèi)銅-康銅或鎳鉻-銬銅熱電偶具有較高的精度,為K型熱電偶, 其分度值應(yīng)符合GB 2903和GB 4993的規(guī)定。熱電偶的測(cè)試精度為±0.1℃。
6.2.1.3.2 熱電偶的焊接方法
通常采用熔焊的方法把銅-康銅或鎳鉻-銬銅焊接在一起, 不允許采用把銅-康銅絲直接鉸在一起的方法。
6.2.1.3.3 熱電偶的粘接方法及減小測(cè)量誤差的措施
熱電偶采用導(dǎo)熱膠粘接粘貼在被測(cè)表面,為了保證測(cè)試結(jié)果的精度, 熱電偶探頭固定在測(cè)溫表面上時(shí),必須將一段熱電偶導(dǎo)線沿測(cè)溫面的等溫線 布置,這樣可以消除熱電偶導(dǎo)線本身導(dǎo)熱而導(dǎo)致的測(cè)量誤差。導(dǎo)線長(zhǎng)度應(yīng)大于10mm,如圖10所示
圖10 熱電偶與被測(cè)表面的接觸形式
6.2.1.3.4 與熱電偶配套的檢測(cè)儀表
熱電偶的溫度檢測(cè)通常采用多路采集器,如FLUKE公司的Hydra logger 及日本恒河公司的DR230系列等。測(cè)試精度為±0.1℃。
6.2.1.4玻璃溫度計(jì)
玻璃液體溫度計(jì)通常用來測(cè)量流體溫度和校準(zhǔn)其它的測(cè)溫儀器如熱電偶等。玻璃溫度計(jì)的精度可以達(dá)到±0.01℃。
6.2.1.5 示溫漆與示溫蠟
示溫漆是一種隨溫度變化而變化的漆,漆的顏色變化達(dá)四種之多,不同的顏色代表不同的溫度。示溫漆還可以用于顯示某個(gè)區(qū)域的溫度場(chǎng)及熱流模式。
示溫蠟是在特定的溫度下熔化的蠟狀物質(zhì),從而顯示出溫度。
示溫漆與示溫蠟的精度較差,一般在±5℃(±9℉)
6.2.1.6 電阻溫度計(jì)
電阻溫度計(jì)與熱電偶的原理及用途相似,兩者均因輻射影響而產(chǎn)生誤差。其精度為±0.1℃。
6.2.1.7 熱敏電阻
熱敏電阻遵循電阻測(cè)溫學(xué)的原理,由于它的溫度系數(shù)很大,所以靈敏度高得多,其缺點(diǎn)是容易老化,需進(jìn)行定期校準(zhǔn),其測(cè)試精度為±0.1℃。
6.2.1.8 光學(xué)溫度計(jì)、紅外掃描系統(tǒng)等。
光學(xué)溫度計(jì)、紅外掃描系統(tǒng)均通過測(cè)量一個(gè)熱源的紅外輻射而得到溫度。其測(cè)試精度最高可以達(dá)到±0.3℃。由于測(cè)量時(shí)必須準(zhǔn)確知道被測(cè)表面的發(fā)射率且要求被測(cè)表面必須可見,限制了它們的使用。
7 附錄
7.1 元器件的功耗計(jì)算方法
根據(jù)實(shí)際使用工況,諸如工作電流,導(dǎo)通壓降等以及元器件的其它電氣參數(shù)計(jì)算元器件實(shí)際的功耗大小。元器件的種類不同,其功耗計(jì)方法也不一樣,具體計(jì)算方法如下:
7.1.1電阻
電阻的發(fā)熱量由下式算得
P=I2R
或P=U2/R....………………(13)
I--流過電流值(A); R--電阻值(Ω)
U--電阻兩端的電壓(V)
7.1.2 變壓器
變壓器的包括銅損和鐵損兩部分
Pb= Pw+ Pc...………………....(14)
銅損按下式計(jì)算:
Pw =2³Ip³Np³Lp³Rz [2] . .(14a)
Ip-原邊有效電流, A
Np-原邊繞組的匝數(shù),匝
Lp-每圈的平均長(zhǎng)度,cm
Rz-導(dǎo)線的阻抗,Ω/cm
鐵損按下式計(jì)算:
Pc=Pv³Ve[2]..…………....(14b)
Pv-單位體積的鐵損,w/cm3
Ve-鐵芯體積,cm3
變壓器的溫升按下式計(jì)算:
Δt=850Pb/As ....………(14c)
Pb-變壓器的總損耗,w
As-變壓器的表面積,cm2
7.1.3 功率器件耗散功率計(jì)算
7.1.3.1 雙極型晶體管(IGBT)
IGBT的功耗損耗主要由通態(tài)損耗(飽和損耗或穩(wěn)定損耗)及開關(guān)損耗兩部分,分別按下式計(jì)算:
通態(tài)損耗(飽和損耗或穩(wěn)定損耗):
Pc=UCEIcδ[3]...………(15a)
開關(guān)損耗:
Ps=(1/2)UCEOIc(ton+toff)fs
= (Eon+Eoff)fs[3]..……....(15b)
總損耗:Pd=Pc+Ps ....……(15)
式中: UCE--通態(tài)集電極一發(fā)射極電壓(V),給定值
UCEo--斷態(tài)集電極一發(fā)射極電壓(V),給定值
Ic--通態(tài)電流(A),給定值
δ--占空比,給定值
Eon,Eoff--開關(guān)能量(焦耳),從器件數(shù)據(jù)手冊(cè)中查出。
fs--開關(guān)頻率,給定值
7.1.3.2 功率MOSFET
MOSFET的損耗包括開關(guān)損耗和通態(tài)損耗兩部分
通態(tài)功耗: Pd=IDS2RDS(ON)[3]……………………..(16a)
IDS--漏極電流,A,給定值
RDS(ON)-MOSFET在工作結(jié)溫下的通態(tài)熱阻,可按直接下式計(jì)算,也可以從器件數(shù)據(jù)手冊(cè)中查。
RDS(ON)(Tj)=Ro[1+α(Tj-25o)], Ω, 通態(tài)電阻
Ro--25℃時(shí)額定值,給定值
α--溫度系數(shù),一般為:0.01
開關(guān)損耗:
開通時(shí)損耗: PON=IceoVcetofff[2]...………………....(16b)
開通過程損耗:Pr=IcVDStrf/6 = Ic2tr tr'f/6Crss [2]………………(16c)
關(guān)斷時(shí)損耗 Poff=IcVcestonf[2………………….(16d) 關(guān)斷過程損耗:Pf=IcVDStff/6=Ic2tf
tf'f/6Coss [2]...………….(16e)
式中:Iceo-集電極與發(fā)射級(jí)間的穿透電流,A Ic--集電極電流,A
Vce-集電極與發(fā)射極間的電壓,V
Vceo-飽和壓降,V
ton,toff-開通及關(guān)斷時(shí)間,ns
tr,, tf-Vce的上升及下降時(shí)間,ns
tr', tf'-驅(qū)動(dòng)波形上升或下降時(shí)間,ns
Crss, Coss 朚OSFET 的輸入與輸出電容
MOSFET的總損耗為:
Ptotal=Pd+Pon+Poff+Pr+Pf.... .……………….. ....(16)
7.1.3.3 DC-DC開關(guān)變換器輸出整流用功率二極管
功率二極管的損耗包括通態(tài)損耗及開關(guān)損耗兩部分
通態(tài)損耗:Pd=VFIF.D[5]. .…………..(17a)
式中:VF-正向?qū)▔航?,V
IF.- 正向平均電流,A
D-占空比
開通損耗:Pon=IFVFRMtrrD f /1000[5]...………....(17b)
VRFM-正向恢復(fù)電壓,V
trr-反向恢復(fù)時(shí)間,ns
f-工作頻率,KHZ
關(guān)斷損耗:Poff=IRMKfVRtrrD f/2000[5]…………….………(17c)
IRM 朹反向漏電流,A
Kf-比例系數(shù)
VR-穩(wěn)態(tài)反向電壓,V
總功耗=d+Pon+Poff.…………….(17)
7.2 散熱器的設(shè)計(jì)計(jì)算方法
根據(jù)給定的結(jié)構(gòu)尺寸,遵照散熱器的設(shè)計(jì)原則初步設(shè)計(jì)出一種散熱器,在按以下步驟進(jìn)行校核計(jì)算。
6.2.1散熱器的熱阻
散熱器的熱阻是從大的方面包括三個(gè)部分。
RSA=R對(duì)+R導(dǎo)+ R輻....…………………....(18)
R對(duì)=1/(αF1).…………………(19)
F1--對(duì)流換熱面積(m)
α--對(duì)流換熱系數(shù),按下表計(jì)算
△T--散熱片與環(huán)境溫度之差
L-- 高(m)
R導(dǎo)=R 基板+R肋導(dǎo)
=δ/(λF2)+((1/η)-1)R對(duì)流....(20)
λ--導(dǎo)熱系數(shù),w/m.h.℃
δ-- 散熱器基板厚度(m)
F2--基板的導(dǎo)熱面積(m)
F2=0.785*(d+δ)2
d- 發(fā)熱器件的當(dāng)量直徑(m)
η-- 肋效率系數(shù)
對(duì)直齒肋:
η=th(mb)/(mb)
m=(2α/λδ0)
α:對(duì)流換熱系數(shù)(w/m2.K)
λ.導(dǎo)熱系數(shù)(W/m.K)
δ0:肋片根部厚度(m)
b. 肋高(m)
RSA=δ/(λF2)+1/(αF1η)..(21)
比較Rsa ≤[Rsa],如不滿足,重新進(jìn)行設(shè)計(jì)散熱器形狀,重復(fù)上面的步驟進(jìn)行設(shè)計(jì),直到符合要求為止。
7.3自然冷卻產(chǎn)品熱設(shè)計(jì)檢查模板
7.3.1 元器件的選擇、排列與安裝時(shí)的熱設(shè)計(jì)
? 是否了解元器件的熱阻及極限結(jié)溫?
? 是否了解元器件的安裝力矩及接觸熱阻?
? 是否分清了熱敏感元器件?
? 是否分清了發(fā)熱量大的元器件?
? 熱敏感元器件與發(fā)熱量大的元器件排列安裝是否合適?
? 發(fā)熱量大的元器件是否采用了散熱器進(jìn)行冷卻?
? 散熱器選用是否合適?設(shè)計(jì)是否合理?是否考慮了表面發(fā)黑?
? 發(fā)熱元器件的引線應(yīng)盡量短,印制線應(yīng)加寬。
? 接近發(fā)熱元器件的樹脂、線材等的耐熱是否充分?
? 由于熱引起的尺寸變化是否作了考慮?
? 元器件的排列是否考慮了煙囪效應(yīng)?
? 元器件的安裝方向是否最優(yōu)?
7.3.2 PCB板的排列、安裝時(shí)的熱設(shè)計(jì)
? PCB板的排列是否考慮了熱?(發(fā)熱量大的PCB不能緊挨排列)
? PCB板是否垂直安裝?排列的距離是否合適?
? PCB板的位置是否阻塞風(fēng)道?
? 是否積極利用了煙囪效應(yīng)?
7.3.3 模塊機(jī)箱的熱設(shè)計(jì)
? 機(jī)箱的設(shè)計(jì)是否考慮了熱?選材利于散熱嗎?
? 機(jī)箱的上下面是否開有通風(fēng)口?
? 通風(fēng)口大小是否合適?
? 機(jī)箱內(nèi)的流路是否通暢?
? 散熱器的安裝位置是否符合煙囪效應(yīng)?
6.3.4 機(jī)柜的熱設(shè)計(jì)
? 機(jī)柜的選材是否有利于散熱?
? 機(jī)柜是否開有通風(fēng)口?
? 通風(fēng)口的大小合適嗎?
? 是否考慮了模塊間的熱影響?
? 機(jī)柜的風(fēng)路結(jié)構(gòu)是否合理?(機(jī)柜帶風(fēng)道還是不帶風(fēng)道?)
? 是否充分利用了煙囪效應(yīng)?
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熱設(shè)計(jì)規(guī)范下載: 艾默生熱設(shè)計(jì)規(guī)范.pdf
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