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熱設(shè)計網(wǎng)

導(dǎo)熱界面材料-分類

熱學(xué)
導(dǎo)熱散熱材料-鋁碳化硅材料

導(dǎo)熱散熱材料-鋁碳化硅材料

 ■ AlSiC具有高導(dǎo)熱率(180~240W/mK)和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)(6.5~9.5×10-6/K),因此一方面AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片 和陶瓷基片實現(xiàn)良好的匹配,能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生,甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上;另一方面AlSiC的熱導(dǎo)率是可伐合金的十倍,芯片 產(chǎn)生的熱量可以及時散發(fā)。這樣,整個元器件的可靠性和穩(wěn)定性大大提高。
■ AlSiC是復(fù)合材料,其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調(diào)整,因此產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設(shè)計,能夠真正地做到量體裁衣,這是傳統(tǒng)的金 屬材料或陶瓷材料無法作到的。 
■ AlSiC的密度與鋁相當(dāng),比銅和Kovar輕得多,還不到Cu/W的五分之一,特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領(lǐng)域的應(yīng)用。   ■ AlSiC的比剛度(剛度除以密度)是所有電子材料中最高的:是鋁的3倍,是W-Cu和Kovar的5倍,是銅的25倍,另外AlSiC的抗震性比陶瓷好,因此是惡劣環(huán)境(震動較大,如航天、汽車等領(lǐng)域)下的首選材料。
■ AlSiC可以大批量加工,但加工的工藝取決于碳化硅的含量,可以用電火花、金剛石、激光等加工。
■ AlSiC可以鍍鎳、金、錫等,表面也可以進行陽極氧化處理。
■ 金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上,用粘結(jié)劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合。
■ AlSiC本身具有較好的氣密性。但是,與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。
■ AlSiC的物理性能及力學(xué)性能都是各向同性的。 使用AlSiC材料的意義 
■ 可以使集成電路的封裝性能大幅提高,使用鋁碳化硅材料進行電子封裝,使封裝體與芯片的受熱膨脹相一致,并起到良好的導(dǎo)熱功能,解決了電路的熱失效問題; 
■ 批量使用AlSiC材料,可以降低封裝成本。
■ 有效改良我國航天、軍事、微波和其他功率微電子領(lǐng)域封裝技術(shù)水平,提高功能,降低成本,加快我國航天和軍工產(chǎn)品的先進化。例如,過去以可伐(Kovar) 材料作為器件封裝外殼的地方,如果換作鋁碳化硅外殼,重量就可減少為原來的三分之一,而導(dǎo)熱性能則增加為原來的十倍。

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