數(shù)據(jù)中心密度在過去曾是世紀末日一般的話題，這也許可以解釋為什么許多IT組織仍然徘徊于4~6千瓦/機架的能耗密度。但電源與散熱管理已經(jīng)準備向著大于10千瓦的服務(wù)器機架進行設(shè)計。

暴漲的處理器核心數(shù)與機架級刀片服務(wù)器設(shè)計讓機房空調(diào)（CRAC）和電力成本增加似乎是無法避免的。但高密度并不會像設(shè)計師擔心的那樣殺死服務(wù)器。虛擬化、高效節(jié)能硬件，主動冷卻抑制與更高的可接受運營溫度協(xié)同配合，將延緩并減少熱能消耗。

 

 

與為每個工作負載配置一臺服務(wù)器不同，一臺中等配置的服務(wù)器，配合虛擬化管理程序可以支持10、20甚至更多工作負載。設(shè)施的機架空間可能因各種負載被虛擬化后而空閑出來。

同時，芯片由更高密度的晶體管級制造工藝以及更低時鐘速打造而成，因此設(shè)備更新時，處理器核心數(shù)的螺旋上升幾乎不會影響機架的能量消耗。

縮小規(guī)模，數(shù)據(jù)中心內(nèi)已經(jīng)有了更多能充分利用的服務(wù)器，因此需要的機架也減少了，這已經(jīng)改變了我們?nèi)绾螒?yīng)用冷卻的方式。，華益利用全氟?入式散熱處理，熱量的傳導分散。

²  化學名稱：三氟甲基全氟環(huán)戊烷

²  介電常數(shù)：1.89

²  介電強度：55KV

²  表面張力：      12.2mN/m

²  沸點：          47°C

²  密度：          1.62g/cc

²  飽和水含量：    40ppm

²  臨界溫度：      205°C

²  PH值：          7

²  閃點：           無

²  燃程：           無

²  ODP:             0

²  GWP:            20

²  比熱：          1.26 J/g°C

²  汽化熱：        121.7 J/g°C

²  粘度：         0.55 mPa.s

隨著這些能源管理的發(fā)展，不大可能出現(xiàn)熱點與冷卻不足的情況，通常來說都是設(shè)計不當或不良的設(shè)施改造造成的。

即使使用最好的抑制策略與高效率冷卻系統(tǒng)，機架中的服務(wù)器熱點任然會因為計算設(shè)備次優(yōu)選擇或放置而產(chǎn)生。

意外的障礙物或空氣流路偶然變化可能產(chǎn)生熱量。舉例來說，拆下服務(wù)器機架的護板，讓空氣流入機架計劃外的位置，會削弱流動到其他服務(wù)器的空氣，增加出口溫度。

大幅度增加服務(wù)器能耗，同樣會引起散熱問題。例如，用高級刀片服務(wù)器系統(tǒng)替換幾臺1U服務(wù)器，會極大提高機架的能源開銷，并且空氣流量不足會直接影響到刀片機的所有模塊組件。如果冷卻系統(tǒng)不是為這樣的服務(wù)器而設(shè)計，很可能經(jīng)常出現(xiàn)熱點。

在增加服務(wù)區(qū)機架密度時，運營組織需要考慮投資數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施管理和其他系統(tǒng)管理工具，收集來自機架內(nèi)熱傳感器所提供的數(shù)據(jù)并生成報告。它們可以發(fā)現(xiàn)超過發(fā)熱限制的情況并采取必要措施，如通知技術(shù)人員，自動調(diào)用工作負載遷移或關(guān)閉系統(tǒng)，以防止設(shè)施過早失效。

當服務(wù)器機架規(guī)劃產(chǎn)生熱點時，IT團隊可以重新分配硬件。與填充單個機架不同，若空間允許，移動一半或一、二架設(shè)備到其他機架上，或關(guān)閉過熱的系統(tǒng)。

 

氟冷式機架可以通機柜門或其他路徑傳輸冷卻裝置。氟冷式能夠解決大部分發(fā)熱問題——尤其當只靠低溫空氣和高溫空氣對流散熱不起作用時。

全浸沒式冷卻技術(shù)可以將服務(wù)器浸入全氟冷卻液中，非導電、非腐蝕性冷卻液。這種技術(shù)有望實現(xiàn)高效率、幾乎沒有噪聲以及接近零損耗的熱傳輸。